中科院物理研I所士生导师介l?陈弘_跨考网
历：(x)1984q?a target="_blank">西安交通大?/a>?sh)子工程pdg器g专业毕业Q获得学士学位，1992q?a target="_blank">中国U学?/a>物理研究所获得博士学位Q?992q至今从事分子束外g和MOCVD半导体材料生长及(qing)l构与物性研I?996q_(d)1997q香港科技大学讉K工作Q从事电(sh)镜研I。在国外主要刊物上发表论?0多篇Q申请专?V现为物理所新型化合物半g材料和物性研I课题组ѝ?/p>
主要研究方向QGaN基材料的MOCVD生长?qing)物性研IӞGaN基材料在发光二极、激光器、外探器、微?sh)子斚w的应用研I。我们课题组在GaN基材料的物性研I和应用斚w作出有特色的工作?/p>
q去的主要工作及(qing)获得的成果：(x)
1.发明了一U新的SiGe生长技术。采用低温Si作ؓ(f)应力释放的牺牲层的方法得C位错密度低于106cm-2的完全弛豫的SiGe层?/p>
2.对GaAsQ?01Q衬底上生长GaN薄膜的相l构的控制进行了pȝ的研IӞ提出了完全不同于国外已经报道的媄(jing)响GaN外g层相l构的生长机制如氮化?qing)其温度和时间、As压的使用{?/p>
3.在GaN基发光二极管外g片的研究中解决了大失配外Ӟ量子q生长Q发光二极管的结构的生长和设计的问题。GaN HEMT的研I解决了GaN的半l缘和AlGaN的生长和HEMT的结构优化。承担了863、科学院创新重要方向?73和基金等N?/p>
目前的研I课题及(qing)展望Q目前承?63N“GaN基发光二极管的外延生长和器g工艺研究”，973和科学院创新工程重要方向N“GaN基HEMT外g材料研究”，973N“GaN基外探器外g材料的研I”和基金N“GaN基发光二极管的发光机理研I”?/p>
培养研究生情况：(x)联合培养了博士研I生8名，在读博士研究?名（联合培养Q?/p>
联系?sh)话Q?10Q?2648149
E-mailQhchen@aphy.iphy.ac.cn
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2022考研初复试已l接q尾壎ͼ考研学子全面q入2023届备?/b>Q跨考ؓ(f)23考研的考生准备?0大课包全E准备、全q复?fn)备考计划、目标院校专业辅对{全真复试模拟练?fn)和全程针对性指|2023考研的小伙伴针也已经开始择校和复习(fn)了，跨考考研畅学5.0版本全新升Q无Z在校在家都可以更自如的完成你的考研复习(fn)Q?/a>暑假集训?/span>带来了院校专业初步选择Q明方向；考研备考全q规划，核心知识点入门；个性化制定备考方案，助你赢在赯U，早出发一点离成功更q一点！
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